良好的导电性，必须要每根纳米线相互之间接触良好，形成一种类似于网格状的结构。

　　因此，现在这样的微观结构，导电率低下也就很容易理解了，可能的原因是旋涂过程中对银纳米线造成了取向和破坏。

　　为了试图解决这个问题，许秋浏览了一下小虫子网站。

　　发现其他人在旋涂银纳米线的时候，也出现过类似的问题，包括导电性差、稳定性差等，而且没有太好的解决方法。

　　于是，许秋又去查阅了一些文献，发现制备银纳米线导电薄膜的常用方法，是刮涂、滴涂，以及“slot-die”的方法。

　　所谓“slot-die”的方法，有点像是刮涂的进阶版本，就是在基片上方一定高度处放一个窄槽，这个窄槽里面不断注入有效层或者传输层溶液，这些溶液会从窄槽中滴落，落到基片上成膜，因为是窄槽，所以形成的薄膜也是细细的窄膜。这个时候，让溶液在滴落的过程中，以一定的速率同步的移动窄槽，就可以使得滴落后的溶液扑满窄槽扫过的面积，也即得到一层薄膜。

　　“slot-die”和刮涂的区别就是刮涂是先把溶液滴在基片上，而“slot-die”是溶液在窄槽内，然后一点点的往出流，因此工艺难度很稍微高一些。

　　许秋的这番操作，其实也是他在遇到实验失败时的常规步骤：

　　首先根据实验现象推断可能的原因；

　　然后用便宜的方法（万用表）初步确认原因；

　　再用贵的方法（各种电镜）确认原因，当然如果组里没钱的话，这一步可以省略；

　　接着，去小虫子看看其他人有没有类似的情况，他们是怎么解决的；

　　最后翻文献，找到解决或者替代的方法。

　　这些顺序也不是完全固定的，可以根据实际需要进行调整。

　　另外，之所以首先要去小虫子逛逛，是因为这里是关于科研的中文论坛，大佬们层出不穷，如果能精准的搜索到别人已经解决的问题，就会省下不少时间，类似于程序圈里用别人造好的轮子。

　　毕竟，检索SCI论文花费的时间可不少，很多时候可能一个小时过去了，好不容易找到了几篇相关的文献，但最后发现都没什么用，解决不了问题。

　　当然，也不是每次经过这番操作，都能解决实验失败的问题。

　　就比如这次，许秋一顿操作猛如虎，最终得出结论，PLANA（计划A）扑街。

　　即基于实验室现有的设备，用银纳米线薄膜的这个方法制备半透明器件的顶电极并不合适。

　　不过，许秋丝毫不慌。

　　因为他还有PLANB，所以他也懒得去优化银纳米线制备工艺了，直接暂时放弃PLANA，先用薄层金属电极的方法搞起，日后如果有需要的话，再重新尝试也不迟。

　　在正式的实验

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