之前，许秋对现有的半透明器件文献做了一个简单的总结。

　　他发现半透明器件这个概念在好几年前就有了，文献也不少，光一区二区的文章就有十多篇，不少都是国外一个大组YangYang发表的。

　　不过，之前只有富勒烯的体系，虽然可见光范围内的平均透过率（AVT）可以做的很高，最高甚至能达到50%，但效率（PCE）一直上不去。

　　光有AVT，没有PCE，这就和“只要面子，没有里子”差不多，就比如50%的AVT配上1%的PCE，没什么太大的意义，光伏器件最终还是得回归到效率的比拼上。

　　目前，性能最好的一个工作是基于PCE10:PCBM的半透明器件，效率只有7%，AVT也只有25%，他们采用的电极是薄层的10纳米银电极。

　　正式实验的时候，许秋尝试了三种薄层电极，分别是常用的金、银、铝，以PCE10:IEICO-4F和PCE10:FNIC-4F两个体系作为标样，制备了不同厚度金属电极的器件，从5纳米到正常的100纳米不等。

　　最终的结果，以PCE10:IEICO-4F体系为例。

　　电极厚度在100纳米条件下，金、银、铝电极，器件最高效率分别为%、%和%，三种电极的器件效率相当。此时器件的AVT约为0，即器件几乎完全不透过可见光。

　　50纳米条件下，最高效率分别为%、%和%，三种电极的器件效率仍然相当。此时器件的AVT同样约为0。

　　30纳米条件下，最高效率分别为%、%和%，三种电极的器件效率产生分化，其中金、银作为电极的器件，效率衰减不明显，而铝作为电极的器件，效率衰减比较严重。此时器件的AVT达到了5%-10%，可见光有部分可以透过，可以模模糊糊的看到器件背后的东西。

　　20纳米条件下，最高效率分别为%、%和0%，金、银作为电极的器件，效率衰减仍不明显，而铝作为电极的器件，已经断路。此时器件的AVT达到了10%-20%，可见光有部分可以透过，可以模模糊糊的看到器件背后的东西。

　　10纳米条件下，最高效率分别为%、%和0%，金、银作为电极的器件，也开始发生分化，银电极的器件效率更高。此时器件的AVT达到了20%-40%，可见光有较大的一部分可以透过，可以较为清楚的看到器件背后的东西。

　　5纳米条件下，最高效率分别为%、%和0%，金电极器件仍然能保持一定的器件效率，而银电极器件效率直接跳水，接近于断路。此时器件的AVT达到了30%-45%，可见光有较大的一部分可以透过，可以很清楚的看到器件背后的东西。

　　另

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